一種籽晶鋪設(shè)方法、類單晶硅錠的制備方法和類單晶硅錠

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911051752.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112746321A 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN112746321A 申請公布日 2021-05-04
分類號 C30B28/06;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 羅鴻志;何亮;鄒貴付 申請（專利權(quán)）人 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;熊永強(qiáng)
地址 338004 江西省新余市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供了一種籽晶鋪設(shè)方法，包括：提供坩堝，在所述坩堝的底部鋪設(shè)籽晶層，所述籽晶層包括由若干塊第一籽晶和第二籽晶拼接形成，其中，兩兩相鄰的四塊所述第一籽晶拼接的結(jié)構(gòu)中部形成一鏤空部，所述第二籽晶填充在所述鏤空部內(nèi)。由所述籽晶鋪設(shè)方法鋪設(shè)的籽晶層，在高溫階段能避免相鄰籽晶塊之間產(chǎn)生擠壓應(yīng)力，有利于減少晶體位錯比例，提高硅錠的質(zhì)量。本發(fā)明還提供了一種類單晶硅錠的制備方法和類單晶硅錠。