一種籽晶鋪設(shè)方法、單晶硅錠的制備方法和單晶硅錠

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010156644.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113373503A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113373503A 申請公布日 2021-09-10
分類號 C30B11/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 雷琦;何亮;徐云飛;毛偉;李建敏;鄒貴付;甘勝泉;陳仙輝 申請（專利權(quán)）人 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 郝傳鑫;熊永強
地址 338004江西省新余市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供了一種籽晶鋪設(shè)方法，用于單晶硅錠的鑄造，包括：提供坩堝，在所述坩堝的底部鋪設(shè)籽晶層，所述籽晶層由三種籽晶錯位拼接形成，每種所述籽晶分別至少包括一塊；其中，所述三種籽晶的生長面晶向相同，所述三種籽晶的側(cè)面晶向不同，所述生長面晶向為<001>、<011>或<111>；當所述三種籽晶的其中一種籽晶包括多塊時，多塊所述一種籽晶之間互不接觸。由所述籽晶鋪設(shè)方法鋪設(shè)的籽晶層，能有利于減少晶體位錯比例，提高硅錠的質(zhì)量。本申請還提供了一種單晶硅錠的制備方法和單晶硅錠。