一種制備單晶鎳鐵氧體薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110370455.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113235159B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN113235159B 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B29/22（2006.01）I;C30B23/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C04B35/28（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王悅;薛德勝 申請（專利權(quán)）人 蘭州大學(xué)
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 730000甘肅省蘭州市城關(guān)區(qū)天水南路222號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種制備單晶鎳鐵氧體薄膜的方法，包括以下步驟：在室溫下，采用鎳鐵氧體靶材，在單晶基片上通過磁控濺射，制備得到單晶鎳鐵氧體薄膜。本發(fā)明在室溫下通過磁控濺射法可以制備得到單晶鎳鐵氧體薄膜，無需在濺射過程中對基片進(jìn)行加熱或是后續(xù)進(jìn)行熱處理，操作簡單，可重復(fù)性高，應(yīng)用前景廣闊。