金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110268619.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113054029A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113054029A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬萬里 申請（專利權）人 深圳方正微電子有限公司
代理機構 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 陳春渠
地址 518172 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路5號方正微電子工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和應用。該金屬氧化物半導體場效應晶體管包括N型基體，N型基體的一側設有溝槽，N型基體內設有P?體區(qū)、P+區(qū)和N+區(qū)，P?體區(qū)包繞溝槽，P+區(qū)自溝槽的槽底向P?體區(qū)延伸，N+區(qū)包括第一N+區(qū)和第二N+區(qū)，第一N+區(qū)在溝槽內圍繞溝槽的側壁設置且露出P+區(qū)，第二N+區(qū)在相鄰的P?體區(qū)之間；柵氧化層，柵氧化層設置在N型基體的設有溝槽的一側，并且露出溝槽；多晶硅層，多晶硅層設置在柵氧化層上，多晶硅層、柵氧化層、P+區(qū)與N+區(qū)圍成接觸孔；以及第一金屬層，第一金屬層設在多晶硅層上且向下延伸填充滿接觸孔，上述結構的晶體管在不降低單脈沖雪崩擊穿能量的同時還提高了器件的工作速度。