金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110270445.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113053999A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113053999A 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬萬(wàn)里 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳方正微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 李睿
地址 518172 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路5號(hào)方正微電子工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制備方法。該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包括襯底層、外延層、體區(qū)、源區(qū)、第一柵介質(zhì)層、柵極、并排依次緊靠的多個(gè)阻擋部和與多個(gè)所述阻擋部相對(duì)應(yīng)的多個(gè)終端區(qū)；所述外延層設(shè)置于所述襯底層上，所述第一柵介質(zhì)層用于間隔所述柵極與所述外延層，所述體區(qū)設(shè)置于所述外延層中，所述源區(qū)設(shè)置于所述體區(qū)中，所述終端區(qū)設(shè)置于所述源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)的外延層中；其中，各所述終端區(qū)的摻雜類型與所述體區(qū)的摻雜類型相同，所述源區(qū)的摻雜類型與所述外延層的摻雜類型相同；在多個(gè)所述阻擋部中，靠近所述源區(qū)的阻擋部的厚度較小，在多個(gè)所述終端區(qū)中，靠近所述源區(qū)的終端區(qū)中的摻雜濃度較高。