一種去除半導體器件制造中的多晶硅殘留的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020101655171 申請日 -
公開（公告）號 CN112289676A 公開（公告）日 2021-01-29
申請公布號 CN112289676A 申請公布日 2021-01-29
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳定平 申請（專利權）人 深圳方正微電子有限公司
代理機構 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 代理人 黃志云
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路5號方正微電子工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種去除半導體器件制造中的多晶硅殘留的方法，所述方法包括如下步驟：提供含有多晶硅殘留的半導體半成品，對所述半導體半成品進行預刻處理得到第一半導體半成品；其中，所述預刻處理的過程采用HBr和SF6的混合氣體進行處理；對所述第一半導體半成品進行主刻處理得到去除多晶硅殘留的半導體半成品；其中，所述主刻處理的過程采用Cl2和HBr的混合氣體進行處理；該方法有效地解決了多晶硅殘留的問題，同時也避免了對半導體半成品多晶硅層形貌造成損傷，適合廣泛應用于工業(yè)生產。??