垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110269950.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113054030A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113054030A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬萬里 申請（專利權(quán)）人 深圳方正微電子有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 李睿
地址 518172 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路5號方正微電子工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制備方法和應用。該垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管包括N型基體，N型基體的一側(cè)設有溝槽，N型基體內(nèi)設有P?體區(qū)、N+區(qū)、碳化硅層、柵氧化層、第一阻擋層和多晶硅層，第一阻擋層在溝槽內(nèi)圍繞溝槽的側(cè)壁設置，碳化硅層自溝槽的槽底向N型基體延伸，柵氧化層設在溝槽的底部，多晶硅層在溝槽內(nèi)設置于柵氧化層之上，P?體區(qū)圍繞溝槽的側(cè)壁且環(huán)繞N+區(qū)，N+區(qū)的表面露出于N型基體的設有溝槽的上表面，其中，N+區(qū)的材料是摻雜N型離子的碳化硅，器件在源區(qū)和漏極的外延層中引入了碳化硅層，產(chǎn)生了類似應變硅的效應，提升了器件的工作速度。