帶有ESD結(jié)構(gòu)的溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610201989.1 申請日 -
公開（公告）號 CN107293486B 公開（公告）日 2020-12-04
申請公布號 CN107293486B 申請公布日 2020-12-04
分類號 H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬萬里 申請（專利權(quán)）人 深圳方正微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳方正微電子有限公司;北大方正集團有限公司
地址 100871 北京市海淀區(qū)成府路298號中關(guān)村方正大廈9層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種帶有ESD結(jié)構(gòu)的溝槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法，通過在半導(dǎo)體襯底上形成第一溝槽和第二溝槽；第一溝槽的寬度小于第二溝槽；并在形成第一溝槽和第二溝槽后的半導(dǎo)體襯底上依次形成第一氧化層和第一介質(zhì)層；在第一介質(zhì)層上涂覆完全填充第二溝槽的第一掩膜介質(zhì)；去除第一溝槽與第二溝槽外的第一介質(zhì)層；在第二溝槽內(nèi)形成靜電放電ESD結(jié)構(gòu)的離子注入?yún)^(qū)，該離子注入?yún)^(qū)包括并列且交替排列的P+型區(qū)和N+型區(qū)。從而通過將ESD結(jié)構(gòu)的離子注入?yún)^(qū)設(shè)置在大于第一溝槽的第二溝槽內(nèi)，使得該ESD結(jié)構(gòu)在形成過程中不需要采用光刻掩模版進行光刻刻蝕，而直接采用回刻的方式將溝槽型半導(dǎo)體器件溝槽外部平面處的多晶硅刻蝕掉，簡化制作工藝，降低制作成本。