二極管的金屬電極、制備方法和二極管
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610475438.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107546120B | 公開(公告)日 | 2021-04-09 |
申請公布號 | CN107546120B | 申請公布日 | 2021-04-09 |
分類號 | H01L29/43(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李理;趙圣哲;姜春亮 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳方正微電子有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京友聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
地址 | 100871北京市海淀區(qū)成府路298號方正大廈9層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種二極管的金屬電極、制備方法和二極管,其中,制備方法包括:在完成二極管的半導體功能層的制備后,在所述半導體功能層的正側(cè)形成合金層;對所述合金層進行退火處理,以形成所述半導體功能層和所述合金層之間的金屬硅化物層;在形成所述金屬硅化物層后,在所述半導體功能層的背側(cè)形成金屬層。通過本發(fā)明技術(shù)方案,減小了少子壽命,減小了反向恢復(fù)時間,降低了器件的通態(tài)壓降。?? |
