金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110271209.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113054031A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113054031A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L23/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬萬里 申請（專利權(quán)）人 深圳方正微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 陳春渠
地址 518172 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路5號方正微電子工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用。該金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管包括N型基體，N型基體的一側(cè)設(shè)有溝槽，N型基體內(nèi)設(shè)有P?體區(qū)、P+區(qū)和N+區(qū)，P?體區(qū)包繞所溝槽，P+區(qū)自所述溝槽的槽底向P?體區(qū)延伸，N+區(qū)在溝槽內(nèi)圍繞溝槽的側(cè)壁設(shè)置且露出P+區(qū)；柵氧化層，柵氧化層設(shè)置在N型基體的設(shè)有溝槽的一側(cè)，并且露出溝槽；多晶硅層，多晶硅層設(shè)置在柵氧化層上，多晶硅層、柵氧化層、P+區(qū)與N+區(qū)圍成接觸孔；以及第一金屬層，第一金屬層設(shè)在多晶硅層上且向下延伸填充滿接觸孔，N+區(qū)的材料為注入N型離子的碳化硅，上述結(jié)構(gòu)的晶體管在不降低單脈沖雪崩擊穿能量的同時還提高了器件的工作速度。