一種多晶硅柵極的制造方法及多晶硅柵極

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610361902.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107437500B 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN107437500B 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬萬里 申請（專利權(quán)）人 深圳方正微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許靜;安利霞
地址 100871北京市海淀區(qū)成府路298號中關(guān)村方正大廈808室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種多晶硅柵極的制造方法及多晶硅柵極，其中，多晶硅柵極的制造方法包括：在襯底上依次生成柵氧化層、多晶硅層和氮化硅層；對所述氮化硅層和所述多晶硅層進行光刻和刻蝕，且所述多晶硅層上被刻蝕的位置保留預(yù)設(shè)厚度的余量；對外露的所述多晶硅層進行氧化，得到氧化層；去除所述氮化硅層，并在露出的所述多晶硅層上生成硅化物，形成多晶硅柵極。本發(fā)明提供的方案通過在刻蝕多晶硅時保留一定的余量，然后通過氧化將其轉(zhuǎn)化為二氧化硅(氧化層)，能夠保證多晶硅層下方任何位置處的柵氧化層都不會被損傷到，簡化了制作工藝；同時保留了完整的柵氧化層，不會存在交界，提高了器件性能。??