鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠爐內(nèi)加熱器改進(jìn)裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110160796.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102242391B 公開（公告）日 2013-09-25
申請公布號 CN102242391B 申請公布日 2013-09-25
分類號 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 石堅(jiān);熊濤濤 申請（專利權(quán)）人 安陽市鳳凰光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安陽市智浩專利代理事務(wù)所 代理人 王好勤
地址 456400 河南省安陽市滑縣產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)大三路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠爐內(nèi)加熱器改進(jìn)裝置，涉及錠爐內(nèi)加熱器加熱裝置，在GT鑄錠爐或四面加頂部加熱器的鑄錠爐內(nèi)，將加熱器電阻調(diào)大，加熱器同時(shí)向上移動(dòng)；所述的加熱器電阻調(diào)大指：加熱器電阻由0.03Ω調(diào)到0.04～0.08Ω。所述的加熱器同時(shí)向上移動(dòng)指：加熱器在現(xiàn)有的位置上向上移動(dòng)5～150mm。本發(fā)明的有益效果在于：通過本方法的控制，使晶種固化在爐底，不熔化或漂浮，同時(shí)可以進(jìn)一步降低晶種高度，通過本方法，可將晶種控制在20mm以下。晶種高度的下降，可有效地降低生產(chǎn)成本。