鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠爐內(nèi)融化后晶種穩(wěn)定于爐底的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110160797.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102242392B 公開（公告）日 2014-03-12
申請公布號 CN102242392B 申請公布日 2014-03-12
分類號 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 石堅(jiān);熊濤濤 申請（專利權(quán)）人 安陽市鳳凰光伏科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安陽市智浩專利代理事務(wù)所 代理人 王好勤
地址 456400 河南省安陽市滑縣產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)大三路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明公開了一種鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠爐內(nèi)融化后晶種穩(wěn)定爐底的方法，涉及晶種穩(wěn)定在爐底的方法，GT多晶鑄錠爐或四面加熱器加頂部加熱器鑄錠爐中：a.鑄錠爐升溫熔化過程中，當(dāng)TC1達(dá)到1420攝氏度及以上時，保持TC1穩(wěn)定，通過打開隔熱籠，控制TC2在1200～1350攝氏度，TC2的控制時間在20～500分鐘；b.第一步完成后，保持TC1穩(wěn)定，通過控制隔熱籠，將TC2提升到1350～1400攝氏度，第二步穩(wěn)定20～500分鐘；c.下降TC1至1410～1450攝氏度，進(jìn)入長晶階段。本發(fā)明的有益效果在于：通過本方法的控制，在GT或四面及頂面加熱器的鑄錠爐生長類似單晶過程中，在爐底使融化硅液始終處于過冷的粘稠狀態(tài)，從而使晶種固化在爐底，不熔化或漂浮，可進(jìn)一步降低晶種高度，從而降低成本。