一種硅基OLED微顯示器陽極及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110362257.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113054142A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113054142A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 深圳市芯視佳半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 任晨晨
地址 518109 廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道新石社區(qū)頤豐華創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園28號頤豐華大廈903
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅基OLED微顯示器陽極及其制備方法和應(yīng)用，在wafer背板依次為：第一層由鋯、鉻或鈦金屬制備的薄膜結(jié)構(gòu)；第二層由鋁、鎂、金或銀高反射率金屬制備的薄膜結(jié)構(gòu)；第三層由氮化鈦、氮化鋯、氮化鉻或TiAlN氮化物制備的薄膜結(jié)構(gòu)；第四層由ITO、IZO或IVO過渡金屬氧化物制備的薄膜結(jié)構(gòu)；第五層由Bi、Cr、Ga、La、Sn、Ta、Ti、W、Mo或Ni等金屬制備的薄膜結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明陽極具有耐腐蝕性、穩(wěn)定性和更高的功函數(shù)，提高空穴注入能力和器件壽命。