一種新型半導體芯片、制備方法及應用電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010285140.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111640780A 公開（公告）日 2020-09-08
申請公布號 CN111640780A 申請公布日 2020-09-08
分類號 H01L29/06(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 孫林弟;王海濱;林旭帆;金東;金燕 申請（專利權）人 浙江明德微電子股份有限公司
代理機構 杭州天昊專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 浙江明德微電子股份有限公司
地址 312000浙江省紹興市經濟開發(fā)區(qū)龍山軟件園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型半導體芯片、制備方法及應用電路，其中一種新型半導體芯片，包括：N型襯底，電阻率為0.2?0.3Ω/cm；設置在N型襯底兩側的N型擴散層，結深為60～100μm，方塊電阻為800～1500Ω/□；設置在N型擴散層中的P型擴散層，擴散結深為25～30μm，方塊電阻為40～50Ω/□；在正面的P型擴散層上設置若干個N型擴散層，擴散結深為10～12μm，方塊電阻0.6～0.8Ω/□；在圍繞外圍的N型擴散層上設置SiO2掩蔽層，厚度為2.5～3.0μm；在正面的N型擴散層設置正面金屬層，材料為Al?Ti?Ni?Ag，厚度3.5～4.0μm；在背面的N型擴散層設置背面金屬層，材料為Al?Ti?Ni?Ag，厚度3.5～4.0μm，由此形成NPNP型半導體結構。??