一種新型半導(dǎo)體芯片、制備方法及應(yīng)用電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010285140.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111640780A | 公開（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請公布號 | CN111640780A | 申請公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 孫林弟;王海濱;林旭帆;金東;金燕 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江明德微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 浙江明德微電子股份有限公司 |
| 地址 | 312000浙江省紹興市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)龍山軟件園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種新型半導(dǎo)體芯片、制備方法及應(yīng)用電路，其中一種新型半導(dǎo)體芯片，包括：N型襯底，電阻率為0.2?0.3Ω/cm；設(shè)置在N型襯底兩側(cè)的N型擴(kuò)散層，結(jié)深為60～100μm，方塊電阻為800～1500Ω/□；設(shè)置在N型擴(kuò)散層中的P型擴(kuò)散層，擴(kuò)散結(jié)深為25～30μm，方塊電阻為40～50Ω/□；在正面的P型擴(kuò)散層上設(shè)置若干個N型擴(kuò)散層，擴(kuò)散結(jié)深為10～12μm，方塊電阻0.6～0.8Ω/□；在圍繞外圍的N型擴(kuò)散層上設(shè)置SiO2掩蔽層，厚度為2.5～3.0μm；在正面的N型擴(kuò)散層設(shè)置正面金屬層，材料為Al?Ti?Ni?Ag，厚度3.5～4.0μm；在背面的N型擴(kuò)散層設(shè)置背面金屬層，材料為Al?Ti?Ni?Ag，厚度3.5～4.0μm，由此形成NPNP型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。?? |
