復(fù)合MOS管封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021255134.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212676258U | 公開（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申請公布號 | CN212676258U | 申請公布日 | 2021-03-09 |
| 分類號 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 羅澤偉;謝曉東;林旭帆;孫林弟 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江明德微電子股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 312000浙江省紹興市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)龍山軟件園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種復(fù)合MOS管封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝在一個模組內(nèi)的場效應(yīng)管芯片，第二三極管芯片和第三三極管芯片，場效應(yīng)管芯片的柵極和第二三極管發(fā)射極和第三三極管的基極、發(fā)射極連接，場效應(yīng)管的源極與第二三極管的集電極連接并引出至少一個源極管腳，第二二極管的基極和第三三極管的集電極連接引出柵極管腳，金屬底板作為漏極管腳與場效應(yīng)管的漏極連接。?? |
