介質(zhì)阻擋放電協(xié)同N型半導(dǎo)體催化劑深度氧化氣態(tài)污染物的工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110151571.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112915783A 公開（公告）日 2021-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112915783A 申請(qǐng)公布日 2021-06-08
分類號(hào) B01D53/86;B01D53/56;B01D53/44 分類 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置;
發(fā)明人 吳忠標(biāo);陳思;王海強(qiáng);馮文驥;高珊;王岳軍;張仲飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江天藍(lán)環(huán)保技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高佳逸;胡紅娟
地址 310013 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種介質(zhì)阻擋放電協(xié)同N型半導(dǎo)體催化劑深度氧化氣態(tài)污染物的工藝，包括：將含有氣態(tài)污染物的污染氣體通過裝有N型半導(dǎo)體催化劑的介質(zhì)阻擋低溫等離子體反應(yīng)器，N型半導(dǎo)體催化劑置于介質(zhì)阻擋低溫等離子體反應(yīng)器的放電區(qū)域內(nèi)，低溫等離子體放電產(chǎn)生高能電子和活性自由基，等離子體放電過程產(chǎn)生的多余高能電子與N型半導(dǎo)體催化劑中的電子進(jìn)行碰撞，形成軌道電子的躍遷，產(chǎn)生“類光催化”行為，繼而形成電子和空穴并進(jìn)一步生成其他強(qiáng)氧化性物種，氣態(tài)污染物在這些活性物種的共同作用下得到深度氧化，生成無(wú)害小分子或更有利于后續(xù)處理的高價(jià)態(tài)化合物。