一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設(shè)備及方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110326801.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112877666A | 公開（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112877666A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類號(hào) | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/50;C23C14/56 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 張少波;劉江;方銘國 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳泰研半導(dǎo)體裝備有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 贛州捷信協(xié)利專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 吳余琴 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道塘頭社區(qū)塘頭1號(hào)路創(chuàng)維創(chuàng)新谷5#C棟203 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種SiP芯片低溫EMI真空磁控濺射鍍膜設(shè)備及方法，真空前處理室與中真空抽氣機(jī)組連接，真空鍍膜室與中真空抽氣機(jī)組、高真空抽氣機(jī)組連接；中真空抽氣機(jī)組包括通過抽氣管和氣動(dòng)閥與真空前處理室腔體連通的真空干式泵組，該真空前處理室內(nèi)設(shè)置遠(yuǎn)紅外加熱管、射頻轟擊板；真空鍍膜室設(shè)置偏向磁控圓柱旋轉(zhuǎn)靶、高真空抽氣機(jī)組；深冷機(jī)組設(shè)置有連通真空前處理室腔體外壁、真空鍍膜室腔體外壁的冰水管和引入真空鍍膜室的冰水管。本發(fā)明立式設(shè)置，占地空間小，降低了設(shè)備成本及功率消耗，提高了產(chǎn)品品質(zhì)及生產(chǎn)效率，避免了持續(xù)鍍膜造成急速溫升不降，旋轉(zhuǎn)鍍膜使得鍍膜更加均勻。 |
