一種在系統(tǒng)級封裝實現(xiàn)選擇性電磁屏蔽的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010542197.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111755424A 公開（公告）日 2020-10-09
申請公布號 CN111755424A 申請公布日 2020-10-09
分類號 H01L23/552(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張少波;方銘國;劉江;程勇 申請（專利權(quán)）人 深圳泰研半導(dǎo)體裝備有限公司
代理機構(gòu) 深圳市神州聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王志強
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道塘頭社區(qū)塘頭1號路創(chuàng)維創(chuàng)新谷5#C棟203
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種系統(tǒng)級封裝實現(xiàn)選擇性電磁屏蔽的工藝,其包括以下步驟：S1、獲取SIP封裝體；S2、在SIP封裝體上形成半切割道溝槽；S3、通過低溫磁控離子濺射，在SIP封裝體外表面及半切割道溝槽鍍膜以形成金屬覆層，以形成共形屏蔽、區(qū)域屏蔽；S4、以激光除去SIP封裝體外表面待除去的金屬覆層，以裸露出未屏蔽區(qū)，形成局部屏蔽采用激光和低溫磁控離子濺射工藝，可以同時形成共形屏蔽、區(qū)域屏蔽以及局部屏蔽；可以提高工藝流程的簡潔化程度。另外，能夠解決金屬屏蔽層內(nèi)的子系統(tǒng)共振問題，局部屏蔽則是進(jìn)一步劃分屏蔽區(qū)及非屏蔽區(qū)，如此可以提高SIP封裝技術(shù)的應(yīng)用空間。??