一種基于鐳射切割快速檢測方法的QFN封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201921546330.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN210349826U 公開（公告）日 2020-04-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN210349826U 申請(qǐng)公布日 2020-04-17
分類號(hào) H01L23/495;H01L23/544 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方銘國 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳泰研半導(dǎo)體裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 東莞卓為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 湯冠萍
地址 518035 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道福圍社區(qū)107國道旁懷德銀山大廈811
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種基于鐳射切割快速檢測方法的QFN封裝結(jié)構(gòu)，包括帶狀封裝體和于該封裝體內(nèi)矩形陣列布置的芯片，相鄰兩芯片之間設(shè)置間斷的縱列支撐銅導(dǎo)線架和間斷的橫排支撐銅導(dǎo)線架。本實(shí)用新型采用鐳射光局部切斷導(dǎo)線電路，但仍保留各個(gè)芯片之間的結(jié)構(gòu)連結(jié)，以方便芯片電氣檢測，這種間斷設(shè)置可以對(duì)全部單芯片進(jìn)行電氣檢測后再對(duì)結(jié)構(gòu)連結(jié)進(jìn)行完全切斷，使得電氣檢測效率提高，且采用鐳射光進(jìn)行局部間斷設(shè)置并不需要在背面貼保護(hù)膜，就不會(huì)造成保護(hù)膜高溫烘烤作業(yè)造成的殘膠問題，更可以節(jié)省材料及作業(yè)成本，也可解決傳統(tǒng)方法撕膜殘膠造成的測試誤差。