氧化鎵基半導體結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911283509.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111129166A 公開（公告）日 2020-05-08
申請公布號 CN111129166A 申請公布日 2020-05-08
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龍世兵;周選擇;徐光偉;熊文豪;趙曉龍;劉明 申請（專利權）人 合肥中科微電子創(chuàng)新中心有限公司
代理機構 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 李佳
地址 230000 安徽省合肥市中國（安徽）自由貿易試驗區(qū)合肥市高新區(qū)望江西路5089號中國科學技術大學先進技術研究院未來中心A1205-A1208
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氧化鎵基半導體結構及其制備方法，該氧化鎵基半導體結構包括：氧化鎵基外延層，具有多個溝道，該多個溝道形成于該氧化鎵基外延層上表面且相互間隔第一距離；多個低勢壘肖特基電極，形成于所述多個溝道之間的氧化鎵基外延層上表面；以及高勢壘肖特基電極，形成于所述氧化鎵基外延層上表面，且覆蓋所述多個溝道及所述多個低勢壘肖特基電極。該氧化鎵基半導體結構同時結合了高、低勢壘的優(yōu)勢，具有較低的開啟電壓的同時可以維持較小的反向漏電流的優(yōu)勢，能夠保證開態(tài)電阻不會有明顯增大，甚至會有降低的效果，能夠使得雙勢壘肖特基能夠有效應的用于高溫領域。