基于氧化鎵的PN結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911283538.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111063742A 公開（公告）日 2020-04-24
申請公布號 CN111063742A 申請公布日 2020-04-24
分類號 H01L29/861;H01L29/267;H01L29/45;H01L21/34 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龍世兵;郝偉兵;徐光偉;劉琦;趙曉龍;劉明 申請（專利權(quán)）人 合肥中科微電子創(chuàng)新中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 李佳
地址 230000 安徽省合肥市中國（安徽）自由貿(mào)易試驗區(qū)合肥市高新區(qū)望江西路5089號中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院未來中心A1205-A1208
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于氧化鎵的PN結(jié)結(jié)構(gòu)，自上而下依次包括：第一電極層、p型層、n型層和襯底層，p型層和n型層相接觸形成PN結(jié)；第一電極層為氧化物電極，p型層為p型氧化物層，n型層為n型氧化鎵基層。本發(fā)明公開的PN結(jié)結(jié)構(gòu)極大降低了PN結(jié)的反向漏電流，提高器件的擊穿電壓，以提升PN結(jié)的性能；同時，采用氧化物電極分別與p型氧化物半導(dǎo)體、N型氧化物半導(dǎo)體形成歐姆接觸，進(jìn)一步降低全氧化物PN結(jié)的開啟電壓和導(dǎo)通電阻。此外，采用全氧化物(電極與半導(dǎo)體材料均是氧化物)的PN結(jié)結(jié)構(gòu)能夠避免與非氧化物材料在接觸界面處的氧化反應(yīng)，有效降低界面態(tài)密度，從而更好地調(diào)節(jié)界面缺陷問題，提高器件性能的同時可易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的工業(yè)制造。