基于氧化鎵的異質結半導體結構及其器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911285322.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111129122A 公開（公告）日 2020-05-08
申請公布號 CN111129122A 申請公布日 2020-05-08
分類號 H01L29/267 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龍世兵;向學強;丁夢璠;徐光偉;趙曉龍;劉明 申請（專利權）人 合肥中科微電子創(chuàng)新中心有限公司
代理機構 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 李佳
地址 230000 安徽省合肥市中國（安徽）自由貿易試驗區(qū)合肥市高新區(qū)望江西路5089號中國科學技術大學先進技術研究院未來中心A1205-A1208
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于氧化鎵的異質結半導體結構，結構包括：至少一氧化鎵基層，氧化鎵基層具備多個接觸表面；至少一銅鐵礦層，銅鐵礦層通過接觸表面與氧化鎵基層形成異質結結構。通過該結構，本發(fā)明實現(xiàn)了禁帶寬度的匹配、導帶的匹配以及價帶的匹配，提高了該結構的電流輸運能力；另外，該異質PN結結構還實現(xiàn)了晶體結構的匹配，避免了在該異質PN結的接觸面形成大量的位錯缺陷，提高了PN結的正向輸運性能、采用該結構的器件導通電阻以及器件性能穩(wěn)定性；最后，銅鐵礦材料的制備工藝簡單，可以直接采用類似溶膠凝膠法或水熱合成法形成，極大地降低了該結構的制備成本和流程，易于實現(xiàn)大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。