外延生長(zhǎng)裝置的調(diào)溫方法以及外延生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111113173.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113846376A 公開（公告）日 2021-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113846376A 申請(qǐng)公布日 2021-12-28
分類號(hào) C30B25/16（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B25/08（2006.01）I;C30B23/06（2006.01）I;C30B23/02（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 汪延成;程佳峰;沈文杰;梅德慶;鄭麗霞;周建燦;白天;張秋成;李陽健 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州華進(jìn)聯(lián)浙知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 方道杰
地址 312300浙江省紹興市上虞區(qū)通江西路218號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種外延生長(zhǎng)裝置的調(diào)溫以及外延生長(zhǎng)裝置。該調(diào)溫方法包括以下步驟：在襯底上選定離線測(cè)溫點(diǎn)，在襯底和/或加熱基座上選定實(shí)時(shí)測(cè)溫點(diǎn)，離線測(cè)溫點(diǎn)與實(shí)時(shí)測(cè)溫點(diǎn)對(duì)應(yīng)；模擬外延生長(zhǎng)裝置的工作流程，以在襯底空轉(zhuǎn)的情況下獲取離線測(cè)溫點(diǎn)的溫度T1以及實(shí)時(shí)測(cè)溫點(diǎn)的溫度T2；擬合溫度T1和溫度T2，得到溫度T1和溫度T2之間的映射關(guān)系函數(shù)F；獲取外延生長(zhǎng)裝置正常工作流程下的實(shí)時(shí)測(cè)溫點(diǎn)的溫度T2’；根據(jù)映射關(guān)系函數(shù)F以及溫度T2’，計(jì)算獲得對(duì)應(yīng)的離線測(cè)溫點(diǎn)的實(shí)時(shí)溫度T1’；根據(jù)實(shí)時(shí)溫度T1’調(diào)節(jié)外延生長(zhǎng)裝置的加熱功率。本申請(qǐng)的優(yōu)點(diǎn)在于：能夠獲得襯底表面精確的實(shí)時(shí)溫度T1’，用以精準(zhǔn)及時(shí)的反饋調(diào)節(jié)加熱功率。