一種用于反應(yīng)室的晶片傳動(dòng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201922123814.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN211455662U 公開(公告)日 2020-09-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN211455662U 申請(qǐng)公布日 2020-09-08
分類號(hào) H01L21/677(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 沈文杰;朱亮;董醫(yī)芳;祝廣輝;湯承偉;俞城;麻鵬達(dá);周航;章杰峰 申請(qǐng)(專利權(quán))人 浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司;浙江晶盛機(jī)電股份有限公司
地址 311100浙江省杭州市余杭區(qū)東湖街道錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)龍船塢路96號(hào)2幢3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于反應(yīng)室的晶片傳動(dòng)裝置。包括均為內(nèi)部中空的方形腔體結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室與搬運(yùn)室,二者之間通過閘閥連通,反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有晶片支撐部件,搬運(yùn)室內(nèi)設(shè)有機(jī)械傳送部件;晶片支撐部件包括內(nèi)環(huán)基座和外環(huán)基座;內(nèi)環(huán)基座主體為圓盤,圓盤下端面設(shè)有同心凸臺(tái),內(nèi)環(huán)基座整體縱向橫截面呈T型;外環(huán)基座呈圓環(huán)型,外環(huán)基座的內(nèi)圈為臺(tái)階狀,內(nèi)圈臺(tái)階尺寸與內(nèi)環(huán)基座外緣尺寸相適配,內(nèi)環(huán)基座嵌設(shè)于外環(huán)基座內(nèi)。內(nèi)環(huán)基座下方設(shè)有內(nèi)環(huán)支撐架,內(nèi)環(huán)支撐架與升降機(jī)構(gòu)相連;外環(huán)基座下方設(shè)有外環(huán)支撐架,外環(huán)支撐架與旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)相連。本實(shí)用新型操作簡(jiǎn)單,傳送穩(wěn)定性更好,掉片率更低,滿足不同尺寸的晶片的傳送需求。??