外延生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110873786.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113652741A 公開（公告）日 2021-11-16
申請公布號 CN113652741A 申請公布日 2021-11-16
分類號 C30B25/10（2006.01）I;C30B25/08（2006.01）I;C23C16/46（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 汪延成;程佳峰;沈文杰;梅德慶;鄭麗霞;周建燦;張秋成 申請（專利權(quán)）人 浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州華進(jìn)聯(lián)浙知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 方道杰
地址 312300 浙江省紹興市上虞區(qū)通江西路218號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體外延生長技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種外延生長裝置，該外延生長裝置包括至少一個(gè)托盤、加熱體和至少一組線圈組件；加熱體內(nèi)具有工作空間，托盤位于工作空間內(nèi)，線圈組件沿加熱體周向圍設(shè)在加熱體外；每組線圈組件具有一基點(diǎn)，每組線圈組件包括多個(gè)獨(dú)立的子線圈，多個(gè)子線圈以基點(diǎn)為中心由內(nèi)向外擴(kuò)散排布；且兩兩相鄰的兩個(gè)子線圈中，其中一個(gè)子線圈包裹另外一個(gè)子線圈。本申請中每個(gè)獨(dú)立的子線圈將托盤上的區(qū)域劃分為多個(gè)獨(dú)立加熱的子區(qū)域，每個(gè)獨(dú)立的子線圈對托盤上對應(yīng)的子區(qū)域進(jìn)行單獨(dú)加熱，從而實(shí)現(xiàn)托盤表面溫度分區(qū)可控；即可調(diào)整托盤上對應(yīng)的子區(qū)域的溫度，降低各個(gè)子區(qū)域之間的溫度差值，以提高托盤上生長的外延層的質(zhì)量。