一種用于碳化硅外延設(shè)備的反應(yīng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121206115.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN215976136U 公開(kāi)（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN215976136U 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) C30B25/08（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 沈文杰;朱亮;周建燦;楊奎;張秋成;湯承偉;曹建偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 代理人 周世駿
地址 312300浙江省紹興市上虞區(qū)通江西路218號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種用于碳化硅外延設(shè)備的反應(yīng)裝置，屬于外延設(shè)備，用于碳化硅外延設(shè)備的反應(yīng)裝置包括：腔室，所述腔室內(nèi)具有一工作腔；蓋板，所述蓋板位于工作腔內(nèi)，且所述蓋板覆蓋在所述工作腔的內(nèi)腔面上，通過(guò)蓋板使得工作腔的內(nèi)腔面被保護(hù)；達(dá)到減緩沉積物沉積，避免腔室整體提前報(bào)廢的技術(shù)效果。