用于碳化硅外延的加熱裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921147157.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210765582U | 公開（公告）日 | 2020-06-16 |
| 申請公布號 | CN210765582U | 申請公布日 | 2020-06-16 |
| 分類號 | C30B25/10(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 傅林堅;沈文杰;周建燦;邵鵬飛;湯承偉;周航;潘禮錢 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 周世駿 |
| 地址 | 311100 浙江省杭州市余杭區(qū)龍船塢路96號2幢3層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及碳化硅外延生長技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種用于碳化硅外延的加熱裝置。包括外延生長反應(yīng)腔和繞設(shè)于外延生長反應(yīng)腔外的電磁感應(yīng)線圈；電磁感應(yīng)線圈包括多個線圈匝，電磁感應(yīng)線圈的匝間距自線圈端部向線圈中部逐漸遞增。本實(shí)用新型改進(jìn)了線圈結(jié)構(gòu)，在保證加熱速度的同時，提高了溫度場的均勻性，從而改善了碳化硅外延的品質(zhì)；本實(shí)用新型中的線圈呈中空型，內(nèi)部通入冷卻水，石英防護(hù)罩內(nèi)外層間隙中也可以通入冷卻水，用于整個電磁感應(yīng)線圈的冷卻，保證了加熱線圈在持續(xù)高溫下的運(yùn)行可靠性，增強(qiáng)了使用壽命。?? |
