一種基于VGF法的減少GaAs晶體孿晶的裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921656034.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210711818U | 公開（公告）日 | 2020-06-09 |
| 申請公布號 | CN210711818U | 申請公布日 | 2020-06-09 |
| 分類號 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 柴曉磊;梁李虎;馮江峰 | 申請（專利權(quán)）人 | 山西中科晶電信息材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 山西中科晶電信息材料有限公司 |
| 地址 | 043604山西省運(yùn)城市絳縣開發(fā)區(qū)陳村（山西沖壓廠西50米） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型涉及半導(dǎo)體制備裝置技術(shù)領(lǐng)域，更具體而言，涉及一種基于VGF法的減少GaAs晶體孿晶的裝置，包括PBN坩堝、石英管、加熱器，石英管放置在爐芯上，石英管與爐芯之間設(shè)置有保溫支撐，爐芯內(nèi)設(shè)置有玻璃棒；PBN坩堝與石英管設(shè)置在保溫裝置內(nèi)，保溫裝置為下部開口的中空筒狀結(jié)構(gòu)，保溫裝置內(nèi)壁鑲嵌有加熱器，通過多組加熱器實現(xiàn)對爐芯及坩堝爐、石英管的熱輻射加熱，多組加熱器獨(dú)立運(yùn)作，實現(xiàn)不同部位不同溫度的加熱；通過底部玻璃棒提供熱流失通道；在石英管與坩堝之間設(shè)置有保溫支撐，阻擋石英支撐管散熱，均化溫場，避免溫場倒置，易生長出合格單晶，孿晶率下降至20%，提高晶體生長效率，提高經(jīng)濟(jì)效益。?? |
