一種摻雜砷化鎵單晶晶體生長(zhǎng)工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010784202.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111893571A | 公開（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111893571A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-06 |
| 分類號(hào) | C30B29/42;C30B11/06 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 高佑君;柴曉磊;樊海強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山西中科晶電信息材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 太原榮信德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 楊凱;連慧敏 |
| 地址 | 043604 山西省運(yùn)城市絳縣開發(fā)區(qū)陳村 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域，更具體而言，涉及一種摻雜砷化鎵單晶晶體生長(zhǎng)工藝，通過在多晶合成、單晶生長(zhǎng)兩個(gè)環(huán)節(jié)中添加與氧反應(yīng)活性大的物資吸收了環(huán)境中及砷、鎵以及石英管在高溫過程中釋放的氧，避免了氧對(duì)進(jìn)入多晶及單晶。極大減弱了氧污染對(duì)材料性能的影響。多晶合成過程中進(jìn)行Si摻雜，實(shí)現(xiàn)硅進(jìn)入砷化鎵并進(jìn)行有效的占位，沒有氧化硼的存在，多晶合成不會(huì)導(dǎo)致B對(duì)多晶的污染。單晶生長(zhǎng)過程中在石英管中放置C、Al或Ti吸收石英管內(nèi)的氧，控制單晶中的氧含量，不再添加多晶已摻雜的雜質(zhì)。單晶生長(zhǎng)時(shí)放入氧化硼提高單晶率的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)雜質(zhì)的選擇性吸附。達(dá)到需要的晶體性能。 |
