大質(zhì)量晶體生長的局部溫度梯度的控制方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010724074.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111826719A 公開（公告）日 2020-10-27
申請公布號 CN111826719A 申請公布日 2020-10-27
分類號 C30B29/42(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高佑君;柴曉磊;樊海強 申請（專利權(quán)）人 山西中科晶電信息材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中索知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山西中科晶電信息材料有限公司
地址 043604山西省運城市絳縣開發(fā)區(qū)陳村（山西沖壓廠西50米）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種大質(zhì)量晶體生長的局部溫度梯度的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟一:安裝晶體生長爐,進(jìn)行升溫化料、調(diào)溫、熔種處理；步驟二:將步驟一中熔種后的晶體生長爐的各溫區(qū)進(jìn)行調(diào)整溫度，逐步降低肩部溫度，完成晶體的放肩過程；步驟三:將晶體生長爐的支撐管及石英管保持不動，晶體生長爐的傳動裝置上移帶動爐體移動，使晶體生長界面上移，實現(xiàn)晶體的生長；步驟四：爐體移動同時逐漸下降晶體生長爐的爐芯，使晶體生長爐的爐芯與支撐管相對移動；或調(diào)整散熱通道內(nèi)流體材料、流體速度，改變通過散熱通道帶走的熱量，控制溫度梯度。通過生長過程中對保溫材料及相對位置的調(diào)整實現(xiàn)晶體生長過程中溫度梯度的針對性調(diào)整。??