一種設置有爐體升降機構(gòu)的晶體生長爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921656033.6 申請日 -
公開（公告）號 CN210856408U 公開（公告）日 2020-06-26
申請公布號 CN210856408U 申請公布日 2020-06-26
分類號 C30B15/30(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 高佑君;柴曉磊;樊海強 申請（專利權(quán)）人 山西中科晶電信息材料有限公司
代理機構(gòu) 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 山西中科晶電信息材料有限公司
地址 043604山西省運城市絳縣開發(fā)區(qū)陳村（山西沖壓廠西50米）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導體材料制備裝置技術(shù)領域，更具體而言，涉及一種設置有爐體升降機構(gòu)的晶體生長爐，包括晶體生長裝置與爐體升降裝置，在晶體生長裝置中通過自上而下的多組加熱器實現(xiàn)對爐芯及坩堝爐、石英管的熱輻射加熱，多組加熱器獨立運作，實現(xiàn)不同部位不同溫度的加熱；通過底部玻璃棒提供熱流失通道；通過爐體升降裝置，避免因坩堝內(nèi)部熔體震動而導致的生長界面波動帶來的晶體缺陷，使得晶體尾部多晶率由原來6%下降到2%，晶體的EPD及電性能均勻性得到明顯提升；本實用新型提供的晶體生長爐結(jié)構(gòu)簡單，操作便捷，方便了裝爐與出爐操作，工作效率由3爐/（人·h）提高到5爐/（人·h）。??