一種大尺寸晶體生長單晶爐
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921656061.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210711819U | 公開（公告）日 | 2020-06-09 |
| 申請公布號 | CN210711819U | 申請公布日 | 2020-06-09 |
| 分類號 | C30B11/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 高佑君;柴曉磊;樊海強 | 申請（專利權(quán)）人 | 山西中科晶電信息材料有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 山西中科晶電信息材料有限公司 |
| 地址 | 043604山西省運城市絳縣開發(fā)區(qū)陳村（山西沖壓廠西50米） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型涉及半導體制備裝置領(lǐng)域，更具體而言，涉及一種大尺寸晶體生長單晶爐，包括PBN坩堝、石英管、加熱器，其中加熱器包括底部加熱器和側(cè)壁加熱器；通過坩堝底部玻璃棒提供熱流失通道；通過多組加熱器實現(xiàn)對爐芯及坩堝爐、石英管的熱輻射加熱，多組加熱器獨立運作，實現(xiàn)不同部位不同溫度的加熱；通過底部加熱器溫度調(diào)整，控制晶體的引晶及放肩過程。晶體生長引晶階段通過對螺旋加熱器的功率微調(diào)整達到控制PBN坩堝內(nèi)錐形溫度梯度的控制，進行引晶并實現(xiàn)晶體放肩。放肩完成后，長體階段通降低圓錐外圍加熱器的功率的大幅調(diào)整，增大晶體頭部的溫度梯度，進而實現(xiàn)對熱散失途徑的控制，實現(xiàn)微凸的晶體生長液面，達到長大直徑長尺寸晶體的目的。?? |
