偏硅酸高溫加壓脫水的工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201010039104.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101792146B | 公開(公告)日 | 2011-12-07 |
申請公布號 | CN101792146B | 申請公布日 | 2011-12-07 |
分類號 | C01B33/12(2006.01)I | 分類 | 無機化學(xué); |
發(fā)明人 | 楊大錦;臧健;趙群;李懷仁;和曉才;李永剛;李永佳;李小英 | 申請(專利權(quán))人 | 云南冶金集團股份有限公司技術(shù)中心 |
代理機構(gòu) | 昆明正原專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 云南冶金集團股份有限公司技術(shù)中心 |
地址 | 650051 云南省昆明市五華區(qū)圓通北路86號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種偏硅酸高溫加壓脫水的工藝,采用工業(yè)用偏硅酸鈉溶液經(jīng)高溫加壓沉淀,脫除大量結(jié)晶水,獲得的偏硅酸經(jīng)酸洗除雜,高純水洗滌脫酸而獲得結(jié)晶水含量低,雜質(zhì)Al,Ti、Fe被有效除去的高純偏硅酸,克服了現(xiàn)有工業(yè)偏硅酸脫水、提純方法的不足,本發(fā)明提出的工藝流程短,容易實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),同時脫雜過程中產(chǎn)出的沉淀后液、酸洗后液經(jīng)合并中和后蒸發(fā)結(jié)晶回收氯化鈉,工藝過程形成封閉循環(huán)體系,對環(huán)境不構(gòu)成污染,降低了生產(chǎn)成本。 |
