一種高效光電轉(zhuǎn)化率的多晶硅錠澆鑄裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821767860.8 申請日 -
公開（公告）號 CN209162252U 公開（公告）日 2019-07-26
申請公布號 CN209162252U 申請公布日 2019-07-26
分類號 C30B29/06（2006.01）I; C30B28/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 汪偉華 申請（專利權(quán)）人 浙江羿陽材料科技有限公司
代理機構(gòu) 浙江永鼎律師事務(wù)所 代理人 陸永強
地址 313200 浙江省湖州市德清縣武康鎮(zhèn)長虹中街339號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種高效光電轉(zhuǎn)化率的多晶硅錠澆鑄裝置，屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域，它解決了現(xiàn)有技術(shù)中多晶硅錠晶體位錯密度大的問題。本高效光電轉(zhuǎn)化率的多晶硅錠澆鑄裝置包括爐體，爐體內(nèi)設(shè)有可升降運動的隔熱籠，隔熱籠內(nèi)設(shè)有坩堝、坩堝護板、石墨底板、石墨蓋板、頂部加熱器和側(cè)部加熱器，石墨底板放置在熱交換平臺上，坩堝放置在石墨底板上，熱交換平臺上設(shè)有輔助冷卻裝置，所述的輔助冷卻裝置可調(diào)節(jié)冷卻溫度。本高效光電轉(zhuǎn)化率的多晶硅錠澆鑄裝置在澆鑄時坩堝底部鋪設(shè)耐高溫硅碎料，一方面起到形成晶相結(jié)構(gòu)較好的形核作用，另一方面由于硅碎料涂覆有耐高溫層，可防止硅碎料全部熔融導(dǎo)致晶體組織再次混亂，可以起到很好的固定形核作用。