一種半導體的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210126914.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114171395A | 公開(公告)日 | 2022-03-11 |
申請公布號 | CN114171395A | 申請公布日 | 2022-03-11 |
分類號 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 邵冬冬 | 申請(專利權)人 | 深圳中科四合科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳倚智知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 霍如肖 |
地址 | 518000廣東省深圳市龍華區(qū)觀瀾街道庫坑社區(qū)庫坑觀光路1310號廠房2棟501 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導體的封裝方法,包括:在引線框架上貼裝芯片,在芯片的上表面AL焊盤上采用引線鍵合工藝制作打線端頭結(jié)構(gòu);打線端頭結(jié)構(gòu)包括從下到上緊密連接的打線焊盤接觸球、過渡連接臺和線頭;進行第一次塑封或者壓合包封,實現(xiàn)芯片及打線端頭結(jié)構(gòu)全包裹,且包裹層的頂面高度超過打線端頭結(jié)構(gòu)的頂面20~50μm;對包裹層進行減薄,減薄至打線焊盤接觸球露出,去掉過渡連接臺和線頭,實現(xiàn)AL焊盤向金球或銅球的改性,進行后續(xù)封裝流程,本方法一方面可以避免打線工藝對產(chǎn)品相關性能提升的限制,另一方面避免復雜且高成本的焊盤改性或RDL工藝,本發(fā)明還提供了采用上述方法獲得的封裝結(jié)構(gòu)和封裝產(chǎn)品。 |
