一種半導(dǎo)體的封裝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210126914.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114171395B | 公開（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114171395B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/48（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 邵冬冬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳中科四合科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳倚智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍華區(qū)觀瀾街道庫坑社區(qū)庫坑觀光路1310號(hào)廠房2棟501 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的封裝方法，包括：在引線框架上貼裝芯片，在芯片的上表面AL焊盤上采用引線鍵合工藝制作打線端頭結(jié)構(gòu)；打線端頭結(jié)構(gòu)包括從下到上緊密連接的打線焊盤接觸球、過渡連接臺(tái)和線頭；進(jìn)行第一次塑封或者壓合包封，實(shí)現(xiàn)芯片及打線端頭結(jié)構(gòu)全包裹，且包裹層的頂面高度超過打線端頭結(jié)構(gòu)的頂面20~50μm；對(duì)包裹層進(jìn)行減薄，減薄至打線焊盤接觸球露出，去掉過渡連接臺(tái)和線頭，實(shí)現(xiàn)AL焊盤向金球或銅球的改性，進(jìn)行后續(xù)封裝流程，本方法一方面可以避免打線工藝對(duì)產(chǎn)品相關(guān)性能提升的限制，另一方面避免復(fù)雜且高成本的焊盤改性或RDL工藝，本發(fā)明還提供了采用上述方法獲得的封裝結(jié)構(gòu)和封裝產(chǎn)品。 |
