一種提高Au-Al鍵合強度和可靠性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110555962.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113299571A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299571A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L21/60（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張新宇 申請（專利權(quán)）人 無錫興華衡輝科技有限公司
代理機構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務所（普通合伙） 代理人 曹慧萍
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)長江南路35-322號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高Au?Al鍵合強度和可靠性的方法。本發(fā)明通過在Al表面使用離子濺射的方法依次沉積一層Zn和一層Cu，使得鍵合過程中Au和Al之間形成一層Cu?Al?Zn三元化合物薄層，阻止金與鋁之間的直接接觸和相互擴散，同時Cu?Al?Zn三元化合物薄層能夠繼續(xù)阻礙在電流作用下Au和Al之間的相互擴散，從而抑制鍵合連接部位的金屬間化合物的生長，提高Au?Al鍵合的強度和可靠性，能夠有效解決傳統(tǒng)半導體器件Au?Al鍵合方法中存在的無法有效抑制金屬間化合物生長，導致Au?Al鍵合強度和鍵合可靠性較差，進而影響半導體器件的功能和壽命的問題。