垂直型JFET器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111071595.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113517197A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517197A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類(lèi)號(hào) H01L21/337（2006.01）I;H01L29/808（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 許劍;崔鳳敏 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海南麟電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 200120上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)碧波路500號(hào)307室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直型JFET器件及其制備方法，形成了貫穿第一導(dǎo)電類(lèi)型體區(qū)、第二導(dǎo)電類(lèi)型體區(qū)，且與第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層相接觸的第一導(dǎo)電類(lèi)型溝道區(qū)，從而通過(guò)第一導(dǎo)電類(lèi)型溝道區(qū)，可精確的優(yōu)化垂直型JFET器件的溝道區(qū)寬度，以在縮小垂直型JFET器件面積的同時(shí)，可以調(diào)整垂直型JFET器件的夾斷電壓，以進(jìn)一步提高器件的集成度和設(shè)計(jì)的靈活性。