帶ESD的功率器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110965206.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113421829A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113421829A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許劍;吳春達(dá);蔣小強(qiáng);霍曉強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 上海南麟電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 200120上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)碧波路500號307室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種帶ESD的功率器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。器件包括N型襯底、N型外延層，第一溝槽、第二溝槽、P型體區(qū)、P型有源區(qū)、N型有源區(qū)、介質(zhì)層及金屬電極，第一溝槽和第二溝槽在N型外延層內(nèi)間隔分布，第一溝槽內(nèi)包括柵氧化層和多晶硅ESD，且多晶硅ESD內(nèi)形成有P型摻雜區(qū)；第二溝槽內(nèi)包括柵氧化層和多晶硅柵極；P型體區(qū)位于各溝槽之間的N型外延層內(nèi)；介質(zhì)層覆蓋第一溝槽、第二溝槽及P型體區(qū)；孔引出區(qū)位于介質(zhì)層內(nèi)，且與多晶硅ESD的P型摻雜區(qū)、P型有源區(qū)，第一溝槽及第二溝槽之間的P型體區(qū)內(nèi)的N型有源區(qū)電接觸；金屬電極位于介質(zhì)層上。本發(fā)明可以有效減小ESD結(jié)構(gòu)的面積，有利于工藝平坦化和降低器件制備成本，有助于改善ESD漏電性能。