發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010390155.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111540733B | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請公布號 | CN111540733B | 申請公布日 | 2021-10-08 |
分類號 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張景瓊;林宗杰 | 申請(專利權(quán))人 | 開發(fā)晶照明(廈門)有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張羽;武玉琴 |
地址 | 361101福建省廈門市火炬高新區(qū)(翔安)產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路101號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含一第一芯片、一第二芯片、及一封裝體。第一芯片于寬波段藍光光譜具有一第一主波及一第一肩波,第一主波具有一第一主波峰值強度,第一肩波具有一第一肩波峰值強度,第一肩波峰值強度除以第一主波峰值強度的比值定義為一第一強度比。第二芯片于寬波段藍光光譜上具有一第二主波及一第二肩波,第二主波具有一第二主波峰值強度,第二肩波具有一第二肩波峰值強度,第二肩波峰值強度除以第二主波峰值強度的比值定義為一第二強度比。第一芯片與第二芯片滿足:第一主波峰值強度與第二主波峰值強度的差值不大于2.5納米,及第一強度比與第二強度比的差值大于0.1。據(jù)此,能提升制造時的芯片使用率,以減少制造成本。 |
