發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110219720.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113036007A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113036007A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樊本杰;楊鴻志;鄧順達 申請（專利權(quán)）人 開發(fā)晶照明（廈門）有限公司
代理機構(gòu) 深圳精智聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 夏聲平
地址 361101 福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路101、103、105、107、109、111、113、115號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種發(fā)光二極管芯片，例如包括：第一摻雜類型半導體層；第二摻雜類型半導體層；以及多量子阱結(jié)構(gòu)層，形成在所述第一摻雜類型半導體層與所述第二摻雜類型半導體層之間。其中，所述多量子阱結(jié)構(gòu)層包括在所述第一摻雜類型半導體層與所述第二摻雜類型半導體層的距離方向上層疊設置的多個第一量子阱結(jié)構(gòu)和至少一個第二量子阱結(jié)構(gòu)，所述多個第一量子阱結(jié)構(gòu)用于發(fā)射第一顏色光，所述至少一個第二量子阱結(jié)構(gòu)用于發(fā)射不同于所述第一顏色光的第二顏色光，且所述至少一個第二量子阱結(jié)構(gòu)的阱層總數(shù)為所述多個第一量子阱結(jié)構(gòu)中位于所述至少一個第二量子阱結(jié)構(gòu)與所述第二摻雜類型半導體層之間的第一量子阱結(jié)構(gòu)的阱層總數(shù)的1/15～1/5。