發(fā)光二極管芯片
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110219720.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113036007A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-06-25 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113036007A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-25 |
分類號(hào) | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 樊本杰;楊鴻志;鄧順達(dá) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 開(kāi)發(fā)晶照明(廈門(mén))有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳精智聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 夏聲平 |
地址 | 361101 福建省廈門(mén)市火炬高新區(qū)(翔安)產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路101、103、105、107、109、111、113、115號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片,例如包括:第一摻雜類型半導(dǎo)體層;第二摻雜類型半導(dǎo)體層;以及多量子阱結(jié)構(gòu)層,形成在所述第一摻雜類型半導(dǎo)體層與所述第二摻雜類型半導(dǎo)體層之間。其中,所述多量子阱結(jié)構(gòu)層包括在所述第一摻雜類型半導(dǎo)體層與所述第二摻雜類型半導(dǎo)體層的距離方向上層疊設(shè)置的多個(gè)第一量子阱結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu),所述多個(gè)第一量子阱結(jié)構(gòu)用于發(fā)射第一顏色光,所述至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)用于發(fā)射不同于所述第一顏色光的第二顏色光,且所述至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)的阱層總數(shù)為所述多個(gè)第一量子阱結(jié)構(gòu)中位于所述至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)與所述第二摻雜類型半導(dǎo)體層之間的第一量子阱結(jié)構(gòu)的阱層總數(shù)的1/15~1/5。 |
