發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110219720.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113036007A 公開(kāi)(公告)日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113036007A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樊本杰;楊鴻志;鄧順達(dá) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 開(kāi)發(fā)晶照明(廈門(mén))有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳精智聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 夏聲平
地址 361101 福建省廈門(mén)市火炬高新區(qū)(翔安)產(chǎn)業(yè)區(qū)翔星路101、103、105、107、109、111、113、115號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片,例如包括:第一摻雜類型半導(dǎo)體層;第二摻雜類型半導(dǎo)體層;以及多量子阱結(jié)構(gòu)層,形成在所述第一摻雜類型半導(dǎo)體層與所述第二摻雜類型半導(dǎo)體層之間。其中,所述多量子阱結(jié)構(gòu)層包括在所述第一摻雜類型半導(dǎo)體層與所述第二摻雜類型半導(dǎo)體層的距離方向上層疊設(shè)置的多個(gè)第一量子阱結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu),所述多個(gè)第一量子阱結(jié)構(gòu)用于發(fā)射第一顏色光,所述至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)用于發(fā)射不同于所述第一顏色光的第二顏色光,且所述至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)的阱層總數(shù)為所述多個(gè)第一量子阱結(jié)構(gòu)中位于所述至少一個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)與所述第二摻雜類型半導(dǎo)體層之間的第一量子阱結(jié)構(gòu)的阱層總數(shù)的1/15~1/5。