一種降低側壁缺陷復合的Micro-LED芯片結構及制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020112564250 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112259652A | 公開（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申請公布號 | CN112259652A | 申請公布日 | 2021-01-22 |
| 分類號 | H01L33/06(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 寇建權 | 申請（專利權）人 | 天津賽米卡爾科技有限公司 |
| 代理機構 | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 | 代理人 | 王麗 |
| 地址 | 300385天津市西青區(qū)經濟技術開發(fā)區(qū)賽達新興產業(yè)園C座7層707室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種降低側壁缺陷復合Micro?LED芯片結構及制備方法，在傳統(tǒng)Micro?LED芯片結構基礎之上，該芯片結構的P型半導體材料層、P型重摻雜半導體材料層和N型材料傳輸層之間結構改變；P型重摻雜半導體材料層僅位于P型半導體材料層上方中間區(qū)域，N型材料傳輸層完全覆蓋P型半導體材料層和P型重摻雜半導體材料層，其中N型材料傳輸層與部分P型半導體材料層直接接觸；本發(fā)明提出的器件結構利用N型材料傳輸層與P型半導體材料層在接觸界面處形成的反偏結，耗盡P型半導體材料層中的空穴，從而減小芯片側壁區(qū)域的非輻射復合效應，同時還能夠提高注入電流的橫向限制作用，以此來減小顯示像素點之間的光學串擾效應。?? |
