一種降低側(cè)壁缺陷復(fù)合的Micro-LED芯片結(jié)構(gòu)及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | 2020112564250 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112259652A | 公開（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112259652A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-22 |
| 分類號(hào) | H01L33/06(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 寇建權(quán) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天津賽米卡爾科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 王麗 |
| 地址 | 300385天津市西青區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)賽達(dá)新興產(chǎn)業(yè)園C座7層707室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種降低側(cè)壁缺陷復(fù)合Micro?LED芯片結(jié)構(gòu)及制備方法，在傳統(tǒng)Micro?LED芯片結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)之上，該芯片結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體材料層、P型重?fù)诫s半導(dǎo)體材料層和N型材料傳輸層之間結(jié)構(gòu)改變；P型重?fù)诫s半導(dǎo)體材料層僅位于P型半導(dǎo)體材料層上方中間區(qū)域，N型材料傳輸層完全覆蓋P型半導(dǎo)體材料層和P型重?fù)诫s半導(dǎo)體材料層，其中N型材料傳輸層與部分P型半導(dǎo)體材料層直接接觸；本發(fā)明提出的器件結(jié)構(gòu)利用N型材料傳輸層與P型半導(dǎo)體材料層在接觸界面處形成的反偏結(jié)，耗盡P型半導(dǎo)體材料層中的空穴，從而減小芯片側(cè)壁區(qū)域的非輻射復(fù)合效應(yīng)，同時(shí)還能夠提高注入電流的橫向限制作用，以此來減小顯示像素點(diǎn)之間的光學(xué)串?dāng)_效應(yīng)。?? |
