具有InGaN電子減速層的VCSEL激光器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123147411.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216929168U 公開(kāi)（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN216929168U 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田康凱;賈興宇;張紫輝;張勇輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津賽米卡爾科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津知曉邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 300400天津市北辰區(qū)雙口鎮(zhèn)河北工業(yè)大學(xué)科技園5號(hào)樓8-806
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有InGaN電子減速層的VCSEL激光器，包括襯底、緩沖層、氮化物外延DBR、N?型半導(dǎo)體傳輸層、N?型InGaN電子減速層、多量子阱層、P?型電子阻擋層、P?型半導(dǎo)體傳輸層、P?型重?fù)诫s半導(dǎo)體傳輸層、電流限制孔、電流擴(kuò)展層、介質(zhì)DBR、P型歐姆電極；N?型半導(dǎo)體傳輸層、N?型InGaN電子減速層、多量子阱層、P?型電子阻擋層、P?型半導(dǎo)體傳輸層、P?型重?fù)诫s半導(dǎo)體傳輸層、電流擴(kuò)展層形成有臺(tái)肩，臺(tái)肩的底部延伸至N?型半導(dǎo)體傳輸層，暴露的N?型半導(dǎo)體傳輸層上設(shè)有N型歐姆電極；本申請(qǐng)實(shí)現(xiàn)對(duì)電子的阻擋效應(yīng)，限制電子從MQWs中泄露，促進(jìn)空穴注入與其發(fā)生輻射復(fù)合，通過(guò)InGaN的插入，會(huì)引入勢(shì)壘，提高輻射復(fù)合速率，提高VCSEL光輸出功率和光電轉(zhuǎn)換效率，從而提高器件的性能。