具有側(cè)壁場(chǎng)板的發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010231630.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111403566A | 公開（公告）日 | 2020-07-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111403566A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-10 |
| 分類號(hào) | H01L33/06(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張紫輝;楚春雙;張勇輝;杭升 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天津賽米卡爾科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 王麗 |
| 地址 | 300385天津市西青區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)賽達(dá)新興產(chǎn)業(yè)園C座7層707室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種具有側(cè)壁場(chǎng)板的發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。側(cè)壁場(chǎng)板結(jié)構(gòu)由絕緣層和覆蓋于絕緣層上的陽極電極構(gòu)成；絕緣層覆蓋于發(fā)光二極管臺(tái)面中的電流擴(kuò)展層、空穴傳輸層、電子阻擋層和有源區(qū)的側(cè)壁及電子傳輸層的上表面；發(fā)光二極管臺(tái)面中電子阻擋層到電流擴(kuò)展層側(cè)壁的絕緣層寬度為0.001～1μm，電子傳輸層上表面的絕緣層的寬度大于電子阻擋層到電流擴(kuò)展層的側(cè)壁的絕緣層寬度；利用側(cè)壁場(chǎng)板結(jié)構(gòu)耗盡發(fā)光二極管器件邊緣載流子，降低器件邊緣處載流子濃度的特點(diǎn)，可以減弱器件邊緣部位的非輻射復(fù)合，使整個(gè)器件的載流子得到有效地利用，最終實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管器件尤其是小尺寸發(fā)光二極管器件的光功率的提升。?? |
