具有側壁場板的發(fā)光二極管器件結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010231630.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111403566A 公開（公告）日 2020-07-10
申請公布號 CN111403566A 申請公布日 2020-07-10
分類號 H01L33/06(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 張紫輝;楚春雙;張勇輝;杭升 申請（專利權）人 天津賽米卡爾科技有限公司
代理機構 天津市北洋有限責任專利代理事務所 代理人 王麗
地址 300385天津市西青區(qū)經濟技術開發(fā)區(qū)賽達新興產業(yè)園C座7層707室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有側壁場板的發(fā)光二極管器件結構及其制備方法。側壁場板結構由絕緣層和覆蓋于絕緣層上的陽極電極構成；絕緣層覆蓋于發(fā)光二極管臺面中的電流擴展層、空穴傳輸層、電子阻擋層和有源區(qū)的側壁及電子傳輸層的上表面；發(fā)光二極管臺面中電子阻擋層到電流擴展層側壁的絕緣層寬度為0.001～1μm，電子傳輸層上表面的絕緣層的寬度大于電子阻擋層到電流擴展層的側壁的絕緣層寬度；利用側壁場板結構耗盡發(fā)光二極管器件邊緣載流子，降低器件邊緣處載流子濃度的特點，可以減弱器件邊緣部位的非輻射復合，使整個器件的載流子得到有效地利用，最終實現(xiàn)發(fā)光二極管器件尤其是小尺寸發(fā)光二極管器件的光功率的提升。??