一種具有側(cè)壁場板的凸型柵增強(qiáng)型GaN基HEMT器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122375051.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215988772U 公開（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN215988772U 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田康凱;賈興宇;劉亞津 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津賽米卡爾科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津知曉邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹元媛
地址 300400天津市北辰區(qū)雙口鎮(zhèn)河北工業(yè)大學(xué)科技園5號(hào)樓8-806
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N具有側(cè)壁場板的凸型柵增強(qiáng)型GaN基HEMT器件，包括襯底，襯底上依次設(shè)有緩沖層、溝道層，溝道層為凸臺(tái)型，凸臺(tái)的頂部和下部平面上設(shè)有勢壘層，凸臺(tái)的外側(cè)和勢壘層的上部設(shè)有柵介質(zhì)層，凸臺(tái)頂部的柵介質(zhì)層和凸臺(tái)外側(cè)的柵介質(zhì)層的外側(cè)設(shè)有柵電極，凸臺(tái)下部平面兩側(cè)設(shè)有源漏電極與勢壘層相連；本實(shí)用新型利用溝道層材料體系的非極性面實(shí)現(xiàn)2DEG溝道的阻斷，實(shí)現(xiàn)了常關(guān)型操作，且器件閾值電壓具有較好的重復(fù)性和均勻性；采用半絕緣GaN作為溝道層，當(dāng)HEMT處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，漏電流極小且可承受較大的電壓而不擊穿；本實(shí)用新型可操作性強(qiáng)，成本低，工藝簡單可靠，適于工業(yè)上的推廣使用。