一種具有電子注入層的深紫外發(fā)光二極管外延結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023014063.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213958983U 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN213958983U 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 寇建權 申請（專利權）人 天津賽米卡爾科技有限公司
代理機構 天津創(chuàng)信方達專利代理事務所（普通合伙） 代理人 李京京
地址 300385天津市西青區(qū)西青經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)賽達新興產(chǎn)業(yè)園C座7層707室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型為一種具有電子注入層的深紫外發(fā)光二極管外延結構。該結構主體為沿著外延生長方向依次包括襯底、緩沖層、N?型半導體傳輸層、電子注入層、多量子阱層、P?型電流阻擋層、P?型半導體傳輸層和P?型重摻雜半導體傳輸層。其中，電子注入層通過AIN組分和摻雜濃度來精確調(diào)控N?型AlGaN層內(nèi)極化電場和耗盡電場，從而降低電子注入有源區(qū)時的能量，提高量子阱對電子的捕獲能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生長難度低，可重復性強。