一種具有電子注入層的深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023014063.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN213958983U | 公開（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213958983U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-13 |
| 分類號(hào) | H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 寇建權(quán) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天津賽米卡爾科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津創(chuàng)信方達(dá)專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李京京 |
| 地址 | 300385天津市西青區(qū)西青經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)賽達(dá)新興產(chǎn)業(yè)園C座7層707室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型為一種具有電子注入層的深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)主體為沿著外延生長(zhǎng)方向依次包括襯底、緩沖層、N?型半導(dǎo)體傳輸層、電子注入層、多量子阱層、P?型電流阻擋層、P?型半導(dǎo)體傳輸層和P?型重?fù)诫s半導(dǎo)體傳輸層。其中，電子注入層通過(guò)AIN組分和摻雜濃度來(lái)精確調(diào)控N?型AlGaN層內(nèi)極化電場(chǎng)和耗盡電場(chǎng)，從而降低電子注入有源區(qū)時(shí)的能量，提高量子阱對(duì)電子的捕獲能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生長(zhǎng)難度低，可重復(fù)性強(qiáng)。 |
