一種具有電子注入層的深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011479928.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112490336A | 公開（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申請公布號 | CN112490336A | 申請公布日 | 2021-03-12 |
| 分類號 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 寇建權(quán) | 申請（專利權(quán)）人 | 天津賽米卡爾科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 天津創(chuàng)信方達專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李京京 |
| 地址 | 300385天津市西青區(qū)西青經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)賽達新興產(chǎn)業(yè)園C座7層707室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明為一種具有電子注入層的深紫外發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。該結(jié)構(gòu)主體為沿著外延生長方向依次包括襯底、緩沖層、N?型半導(dǎo)體傳輸層、電子注入層、多量子阱層、P?型電流阻擋層、P?型半導(dǎo)體傳輸層和P?型重摻雜半導(dǎo)體傳輸層。其中，電子注入層通過AIN組分和摻雜濃度來精確調(diào)控N?型AlGaN層內(nèi)極化電場和耗盡電場，從而降低電子注入有源區(qū)時的能量，提高量子阱對電子的捕獲能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生長難度低，可重復(fù)性強。?? |
