一種MEMS器件的制造方法及MEMS器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011033887.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112141999A 公開(kāi)（公告）日 2020-12-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN112141999A 申請(qǐng)公布日 2020-12-29
分類(lèi)號(hào) B81C1/00;B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02 分類(lèi) 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 徐家艷;彭四偉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 地球山（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王勝利
地址 100102 北京市朝陽(yáng)區(qū)利澤中一路1號(hào)9層辦公A902
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS器件的制造方法及MEMS器件，涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，用于在制造具有懸空結(jié)構(gòu)的MEMS器件時(shí)提高刻蝕圖形的尺寸精度，提升MEMS器件的品質(zhì)。所述MEMS器件的制造方法包括：提供一基底，基底上形成有第一犧牲層；去除第一犧牲層位于預(yù)定區(qū)域內(nèi)的部分，形成凹槽；預(yù)定區(qū)域?yàn)閼铱战Y(jié)構(gòu)與基底之間的區(qū)域；在凹槽內(nèi)形成第二犧牲層，第二犧牲層的上表面與第一犧牲層的上表面平齊，第二犧牲層的致密性低于第一犧牲層的致密性；在第一犧牲層和第二犧牲層上形成懸空結(jié)構(gòu)層，懸空結(jié)構(gòu)層包括位于第一犧牲層上的支撐結(jié)構(gòu)、以及位于第二犧牲層上的懸空結(jié)構(gòu)；去除第二犧牲層，釋放懸空結(jié)構(gòu)。所述MEMS器件的制造方法用于制造具有懸空結(jié)構(gòu)的MEMS器件。