MEMS揚(yáng)聲器單元、MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器及電子終端

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111408512.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113993050A 公開（公告）日 2022-01-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113993050A 申請(qǐng)公布日 2022-01-28
分類號(hào) H04R19/02（2006.01）I;H04R19/00（2006.01）I;H04R7/04（2006.01）I;H04R7/16（2006.01）I;H04R17/10（2006.01）I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 杜海江;劉長(zhǎng)華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 地球山（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京智慧亮點(diǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 史明罡
地址 100102北京市朝陽區(qū)利澤中一路1號(hào)9層辦公A902
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種MEMS揚(yáng)聲器單元、MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器及電子終端。MEMS揚(yáng)聲器單元包括：后腔、振膜和電極；振膜設(shè)置于后腔的一側(cè)；電極設(shè)置于振膜朝向后腔的一側(cè)，且電極與振膜之間具有設(shè)定間距；后腔的尺寸為目標(biāo)尺寸，基于目標(biāo)尺寸，在MEMS揚(yáng)聲器單元的額定電壓下，振膜被驅(qū)動(dòng)至目標(biāo)位置，MEMS揚(yáng)聲器單元的諧振頻率達(dá)到目標(biāo)頻率。MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器包括至少一個(gè)所述的MEMS揚(yáng)聲器單元。電子終端包括：包括終端本體以及所述的MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器，MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器設(shè)置在終端本體上。本公開有利于使MEMS數(shù)字揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能滿足需求。